Managed hosting door True

Geheugen van morgen is niet-vluchtig

 

Grote dram-fabrikanten zoals Siemens, Fujitsu en NEC werken aan een snelle niet-vluchtige technologie voor werkgeheugens. Het is de heilige graal in de geheugenchip-technologie: een snel werkgeheugen dat zijn informatie ook kan bewaren als de stroom is afgesloten. Dergelijke chips komen na de eeuwwisseling binnen bereik van de computergebruiker.

De PC van nu zet bij het opstarten de besturingssoftware en toepassingen in het werkgeheugen. Hierdoor kunnen we snel werken, want het ophalen van gegevens uit het dram-werkgeheugen is ruim tienduizend keer rapper dan lezen op de harde schijf. Drams (dynamic random access memories) hebben echter een nadeel: ze zijn vluchtig. Als ze geen stroom meer krijgen verliezen ze hun informatie.
In principe zijn flashchips een alternatief, maar deze flitsgeheugens zijn te traag en te duur voor toepassing als werkgeheugen. Bovendien gaan ze maar enkele honderdduizenden schrijf-cyclussen mee.
Siemens onderzoekt momenteel de mogelijkheden om zogenaamde ferro-elektrische ram-geheugens (frams) in 4 gigabit-geheugens toe te passen. De eerste van deze generatie geheugenchips lopen naar verwachting in 2004 van de band.

Ferro-elektrisch

De meest verkochte dram-geheugenchips van dit moment bevatten 16 miljoen bits (16 megabit). Momenteel schakelen veel fabrikanten over naar 64 megabit drams en ook 256 Mbit-chips zijn al verkrijgbaar. Ferro-elektrische geheugencellen worden (net als flitsgeheugens) momenteel vooral toegepast op de systeemchips van chipkaarten. Fabrikanten zijn echter nog niet zover dat ze miljoenen ferro-elektrische geheugencellen kunnen integreren. Daarvoor laten de materiaal-eigenschappen nog te wensen over.
Ingewijden zijn het erover eens dat frams op den duur zullen doorbreken. Recentelijk meldden Toshiba, NEC en Fujitsu dat ze erin waren geslaagd om fram-geheugencellen te maken die tussen de 56 en 63 procent van het oppervlak innamen van de huidige geheugencellen op dram-chips. Drams slaan hun lading op in de condensator. Deze onderdelen zijn te vergelijken met een lekkende emmer. De opgeslagen lading moet steeds worden ververst. Ferro-elektrische geheugencellen bestaan daarentegen uit een stukje ferro-elektrisch materiaal waarin een bit in de vorm van een elektrisch veld kan worden opgeslagen. Er is dan slechts een stukje ferro-elektrisch materiaal nodig in plaats van een ingewikkelde condensatorstructuur.  RR
 

Dit artikel is afkomstig van Computable.nl (https://www.computable.nl/artikel/1409194). © Jaarbeurs IT Media.

?


Lees meer over


 
Vacatures

Stuur door

Stuur dit artikel door

Je naam ontbreekt
Je e-mailadres ontbreekt
De naam van de ontvanger ontbreekt
Het e-mailadres van de ontvanger ontbreekt

×
×