Managed hosting door True

Intel verlegt sillicium-grenzen

 

Onderzoekers van Intel presenteren in december een rapport over hun vorderingen om sillicium onder druk (strained silicon) te gebruiken. Het voert die technologie nu in voor zijn 90 nanometer productieproces.

Dit laat hoofdonderzoeker Mark Bohr alvast weten. Hij schat dat het gebruik van strained silicon in processoren een prestatiewinst van 10 procent kan opleveren. Intel onthult op 9 december zijn wetenschappelijke analyse hiervan op de International Electronics Meeting in Washington DC. Dat rapport heeft de lijvige titel 'A 90 nanometer high volume manufacturing logic technology featuring novel 45 nanometer gate length strained silicon Cmos transistors'.
Hierbij scheidt Intel de productie van nmos- (negative channel metal oxyde semiconductor) en pmos-transistoren (positive channel cmos) op een chip. Het maakt de eerstgenoemde, snellere transistoren met een ander sillicium-type dan de tweede. De reden voor deze scheiding is het feit dat de materialen verschillend 'reageren' op het pressieproces. "We hebben de strain dus geoptimaliseerd voor elk type."

Ook 65 nanometer

Intel kondigde eind 2002 al aan met deze technologie bezig te zijn. De nu onthulde praktische uitwerking is volgens Bohr ook bruikbaar in de volgende generatie productieprocessen met transistorlijnen van 65 nanometer. "Deze technologie is ook schaalbaar, dus houdbaar voor de toekomst. We verwerken het nu al in 65 nanometer en zijn dat aan het testen."
"Het is mogelijk zelfs bruikbaar voor de daaropvolgende stap: 45 nanometer, maar die maat zijn we nu pas aan het verkennen", zei de wetenschapper tijdens de telefonische conferentie. Het bedrijf onderzoekt momenteel ook de mogelijkheden van sillicium op isolatiemateriaal (silicon on insulator, soi). Bohr benadrukt dat er nog geen beslissing - vóór of tegen - soi is genomen.

Productie-overstap

Ondertussen voert Intel de productie op van 90 nanometer chips op plakken (wafers) van 300 millimeter. Het heeft nu de fabrieken in Hillsboro (Oregon, VS) en Albuquerque (Nieuw-Mexico, VS) omgevormd naar deze kleinere maat (transistorlijnen) en grotere omvang (chipplakken). Een derde fabriek, eveneens in Hillsboro start eind dit jaar nog de productie. De productiefaciliteit in Ierland gaat in de eerste helft van komend jaar over, waarna de fabriek in Chandler (Arizona, VS) in 2005 overstapt.< BR>

Dit artikel is afkomstig van Computable.nl (https://www.computable.nl/artikel/1299183). © Jaarbeurs IT Media.

?


Lees meer over


Partnerinformatie
 
Vacatures

Stuur door

Stuur dit artikel door

Je naam ontbreekt
Je e-mailadres ontbreekt
De naam van de ontvanger ontbreekt
Het e-mailadres van de ontvanger ontbreekt

×
×